RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3925
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link