RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3406
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link