RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3086
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link