RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3209
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link