RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3553
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link