RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
69
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2973
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology C 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link