RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2999
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link