RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2356
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link