RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3927
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link