RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2665
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link