RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
69
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2159
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link