RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
69
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2328
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link