RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3704
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link