RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3135
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link