RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3910
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link