RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
64
Wokół strony -178% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
2830
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link