RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
61
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,903.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,668.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,903.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
735
3508
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link