RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2036
2394
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link