RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3768
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link