RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3648
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link