RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
3040
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link