RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
3561
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link