RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
40
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3180
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link