RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
55
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
3043
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link