RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2389
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link