RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2231
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link