RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3026
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link