RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3086
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link