RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3625
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link