RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3073
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link