RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3230
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link