RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3032
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link