RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1424
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link