RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2562
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link