RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
64
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2181
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link