RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3131
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link