RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3227
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link