RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link