RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3810
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link