RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3431
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link