RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
38
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3847
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link