RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2799
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link