RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2963
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link