RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
79
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1710
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link