RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
61
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
61
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1813
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link