RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2904
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link