RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3326
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Mushkin 994083 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link