RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3223
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link