RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2326
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link