RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
90
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
90
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
1546
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS256MSK64V3N 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link